로이터 “삼성 HBM에 SK하이닉스 기술 도입”…삼성 “사실 무근”

[더퍼블릭=최태우 기자] 삼성전자가 최근 수요가 폭증한 인공지능(AI) 반도체에 탑재하는 고대역폭메모리(HMB) 제조에 SK하이닉스의 공정 기술을 도입할 것이란 보도에 “계획은 없다”고 선을 그었다.

삼성전자는 13일 ‘MUF’ 기술과 관련된 반도체 제조 장비를 구매 하기로 했다는 외신의 보도에 대해 “기존 공정을 유지하면서 단점을 개선하겠다. HBM 제조에 MR-MUR 방식을 도입할 계획은 없다”고 부인했다.

이는 앞서 로이터통신이 복수의 익명 소식통을 인용해 “삼성전자가 최근 MUF 기술과 관련된 반도체 제조 장비를 구매하기로 했다”고 보도한 데 따른 해명이다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 제품으로, AI 반도체 열풍에 차세대 메모리 반도체로 급부상했다.

SK하이닉스는 AI 반도체 시장은 선도하고 있는 엔비디아의 가장 큰 HBM 공급사로, 미국 마이크론보다 더욱 많은 물량을 공급하고 있는 것으로 알려졌다.

하지만, 삼성전자는 현재까지 엔비디아 측과 HBM 관련 계약을 체결하지 못한 상태다. 로이터 통신과 업계에서는 삼성전자와 SK하이닉스 간 공정 차이로 계약에 어려움을 겪고 있는 것으로 보고 있따.

삼성전자는 D램 사이에 비전도성필름(NCF)을 넣은 뒤 열로 압착하는 ‘TC-NCF’ 방식을 이용해 HBM을 양산하지만, SK하이닉스는 D램을 쌓아 붙인 뒤 열을 가해 1차 납땜을 한 후 D램 사이에 끈적한 액체를 흘려넣어 단단하게 굳히는 ‘MR-MUF’ 방식으로 HBM을 양산한다.

로이터 통신은 HBM 시장에서 SK하이닉스가 삼성전자를 앞서는 이유로 이 같은 공정을 지목했다. 그러면서 삼성전자가 이 같은 상황을 해결하기 위해 MUF 장비 구매에 나섰다고 분석했다.

이에 대해 삼성전자는 “칩 전면을 열과 하중을 인가해 본딩(접합)하기 때문에 칩 휘어짐을 용이하게 제어할 수 있다”며 “NCF 기술로 충분히 대응할 수 있다고 했다. 실제로 삼성전자는 최근 공개한 5세대 HBM3E 12단 제품에도 NCF 기술을 적용했다.

그러면서 이번 보도에 대해 “명백히 사실이 아니다”라며 “NCF 방식으로 최적의 솔루션을 충분히 만들고 있다”고 강조했다.

더퍼블릭 / 최태우 기자 therapy4869@thepublic.kr