[더퍼블릭 = 최태우 기자] 삼성전자가 업계 최초로 ‘하이케이 메달 게이트(HKMG)’ 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다. 삼성전자는 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화한다는 방침이다.
25일 삼성전자에 따르면 DDR5는 차세대 D램 규격으로 기존 DDR4 대비 2배 이상의 성능을 보인다. 향후 데이터 전송속도가 7200Mbps까지 확장될 예정이다. 7200Mbps의 속도는 1초에 30GB 용량 고화질 영화 2편을 처리할 수 있는 수준이다.
특히 이번 고용량 DD5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량·고성능·저전력을 구현해, 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대된다.
또 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용한 점이 특징이다. 따라서 고성능과 저전력을 동시에 구현할 수 있었다.
실제 HKMG 공정으로 만들어진 DDR5 메모리 모듈은 기존 대비 13%의 전력을 절감하기 때문에, 전력효율이 중요한 데이터센터에 적합한 제품이 될 것으로 보인다.
뿐만 아니라 이번 신제품에는 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 실리콘 관통 전극(TSV) 기술이 도입됐다.
삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16GB 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다.
앞서 지난 2014년에도 삼성전자는 세계 최초 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용한 바 있다.
손영수 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 “삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다”며 “이런 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다”고 밝혔다.
인텔의 데이터플랫폼 그룹 캐롤린 듀란 부사장은 “처리해야 할 데이터 양이 기하급수적으로 늘어나는 클라우드 데이터센터, 네트워크, 엣지 컴퓨팅 등에서 차세대 DDR5 메모리의 중요성이 대두되고 있다”며 “인텔 제온 스케일러블 프로세서인 사파이어 래피즈와 호환되는 DDR5 메모리를 선보이기 위해 삼성전자와 긴밀하게 협력하고 있다”고 말했다.
[사진제공=연합뉴스]
더퍼블릭 / 최태우 기자 therapy4869@daum.net
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