[더퍼블릭 = 최태우 기자] SK하이닉스가 반도체 셀을 200단 이상 적층한 낸드플래시를 개발 중인 것으로 전해졌다.
27일 <이코노미스트>의 단독보도에 따르면 SK하아닉스는 내년 안으로 238단 낸드플래시를 출시하기 위해 개발 중이다.
낸드플래시는 차세대 저장장치 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 구성하는 핵심 칩으로, 대부분 저장 공간을 고층 아파트처럼 세로로 쌓아 올리는 방식을 채택한다.
특히 D램과 달리 전원이 꺼져도 기존 작업 정보가 저장되는 비휘발성 메모리다. 과거부터 전자기기와 클라우드, 데이터센터 등에서 활용돼왔다.
또 제품의 셀 사이 간섭을 최소화하면서 크기를 줄일 수 있어 생산성 향상에도 도움이 된다.
낸드플래시 적층 단수가 많을수록 대량의 정보를 저장할 수 있으며, 칩 크기가 작아지면서 제조 원가 또한 줄일 수 있어 메모리 반도체의 기술 척도로 꼽혀왔다.
지난해 4분기 글로벌 낸드플래시 시장 점유율은 30%를 웃도는 삼성전자를 제외하면 키옥시아, 웨스턴디지털, SK하이닉스, 마이크론이 모두 10%대를 유지하고 있다.
다만 SK하이닉스가 지난해 메모리 반도체 초격차를 위해 10조3000억원 규모의 자금을 투자해 인텔의 낸드 사업부를 인수하면서 점유율을 끌어올렸다.
현재 인텔 낸드 사업부를 포함한 SK하이닉스의 시장 점유율은 20%가 넘으며, 삼성전자에 이어 글로벌 2위를 차지하게 됐다.
일각에서는 SK하이닉스가 메모리반도체 시장 점유율에 이어 기술력도 우위를 점하기 위해 200단 이상의 낸드플래시 개발을 서두르고 있다는 관측도 나온다.
메모리반도체 업계에서는 200단 이상의 낸드플래시 개발에 따라 시장 판도가 달라질 수 있기 때문이다.
이와 관련 SK하이닉스 관계자는 <이코노미스트>에 “200단 이상 낸드플래시 개발 현황에 대해 현재 어떤 것도 확인해줄 수 없다”고 말했다.
한편 SK하이닉스는 지난해 12월 최고 층인 176단 낸드플래시(176단 512G 트리플레벨셀 4D)를 개발한 바 있다.
[사진제공=연합뉴스]
더퍼블릭 / 최태우 기자 therapy4869@daum.net
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