차세대 고대역폭메모리 경쟁 불붙나…삼성·SK·마이크론, HBM3E 출시 본격화

[더퍼블릭=최태우 기자] 삼성전자와 미국 마이크론 등 글로벌 주요 메모리반도체 업체들이 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E를 잇따라 출시하면서 경쟁이 본격화되는 분위기다. 현재 HBM 시장 대부분을 점유하고 있는 SK하이닉스는 조만간 HBM3E를 양산할 계획이다.

마이크론은 26일(현지시간) “HBM3E 솔루션을 대량생산을 시작했으며 이번 24GB(기가바이트) 용량의 8H(8단) HBM3E는 올해 2분기 출하를 시작하는 엔비디아 ‘H200’에 탑재될 예정”이라고 밝혔다.

HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 크게 높인 제품으로, 인공지능(AI) 칩에 사용되는 GPU(그래픽처리장치)에 대거 탑재된다.

마이크론은 이번 발표에서 고객사인 엔비디아를 구체적으로 언급하며 HBM3E 제품에 대한 자신감을 드러냈다. 마이크론의 HBM3E는 8단으로 D램을 쌓아 24GB 용량을 구현한 것으로, D램 칩은 10나노급(1b), TSV(실리콘 관통 전극) 등의 기술로 적층했다는 설명이다.

삼성전자도 이날 업계 최초로 36GB 용량의 HBM3E 개발에 성공했다고 밝혔다. 삼성의 HBM3E는 마이크론보다 적층 수가 많은 12단으로, 24기가비트(Gb) D램을 12번 쌓아 36GB를 구현했다고 설명했다.

이 제품은 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공해 전작 대비 성능과 용량이 50% 이상 개선됐다. 삼성전자는 이 샘플을 고객사에 제공하고 상반기 양산에 돌입할 계획이다.

SK하이닉스 역시 조만간 HBM3E 제품 양산에 나설 계획이다. 최대 고객사인 엔비디아 승인이 막바지 단계에 도달한 것으로 전해지면서 이르면 내달 양산을 본격화할 전망이다.

SK하이닉스의 HBM3E 제품은 10나노급(1b)을 기반으로 8단을 적층한 것으로 알려졌다.

SK하이닉스는 올해 생산할 HBM 제품 가운데 80%를 HBM3E 제품으로 생산할 계획이다. 선단공정 제품으로 전환해 업계 경쟁력을 제고한다는 계획인 것으로 해석된다.

한편, HBM3E 제품은 AII 반도체에 탑재되는 만큼, 올해 반도체 시장에서 주목받고 있는 메모리반도체다. 엔비디아가 상반기 출시할 예정인 H200 GPU에 장착된다.

더퍼블릭 / 최태우 기자 therapy4869@thepublic.kr